Letzte Woche in Nürnberg (9.–11. Juni) war das ILH der Universität Stuttgart auf der Konferenz, auf den Bühnen und auf der Ausstellungsfläche vertreten:
📄 Zwei Vorträge auf der Konferenz:
- Ruben Schnitzler — Gate Switching Instability in SiC MOSFETs at Extended Lifetimes Using a Stress-Frequency of 40 MHz
- Aline Reck — Modeling of Monolithic Bidirectional GaN HEMTs Using the Physics-Based ASM-HEMT Compact Model
🎤 Zwei Vorträge auf den Bühnen auf der Messe:
- Dominik Koch, Technology Stage: GaN Power Modules - Translating Intrinsic Performance to System Level
- Ingmar Kallfass, AI & Data Center Stage: AI-Driven Digital Twins for Characterization and Reliability of SiC Power Devices and Systems
🔬 Und unser Stand in der Research Zone:
Advanced Wide-Bandgap Semiconductor Reliability Characterization and System Design
Darüber hinaus besuchten am Mittwoch mehr als 20 Studierende und Kollegen die Messe, um sich über die neuesten Entwicklungen zu informieren und sich mit unseren Partnern zu vernetzen!
Vielen Dank an alle Kollegen, Partner und Besucher, die vorbeigekommen sind! Das macht die Reise lohnenswert. Bis zum nächsten Jahr!
Dominik Koch
M.Sc.Gruppenleiter Leistungselektronik / Wissenschaftlicher Mitarbeiter