ECPE msPEBB Phase 2

Im Rahmen des ECPE-Projekts "Packaging Technology of GaN LV msPEBB Phase 2" untersuchen wir, zusammen mit dem Labor für Elektrointegration / Hochschule Kempten, ein modular skalierbares intelligentes Leistungsmodul für hohe Ströme (>100 A) und niedrige Spannungen (<100 V), das auf dem PCB-Embedding der neuesten GaN-Leistungstransistoren basiert. Die Wahl der Materialien und des Designs zielt darauf ab, hohe Leistungsdichten, eine Skalierbarkeit des Stroms durch Parallelisierung der Bauelemente und einen Hochtemperaturbetrieb der intelligenten Leistungsmodule zu erreichen, z. B. für Anwendungen im Antriebsstrang von Fahrzeugen.

Werfen Sie einen Blick in einige Veröffentlichungen aus der ersten Phase:

• Thermal Study on Leadframe Dimensioning for High Power Dissipation and Low Inductance Commutation Cells
• Gate Driver Concept for Parallel Operation of Low-Voltage High-Current GaN Power Transistors for Mild-Hybrid Applications (DOI:  10.1109/APEC42165.2021.9487194)
• Asymmetric Packages for Optimal Performance of GaN-HEMT using PCB Fabrication Technology
• A 48 V, 300 kHz, High Current DC/DC-Converter Based on Paralleled, Asymmetrical & Thermally Optimized PCB Embedded GaN Packages with Integrated Temperature Sensor (DOI:  10.23919/ISPSD50666.2021.9452241)