Diesen Mittwoch fand bei der Deutschen Raumfahrtagentur im DLR das Kickoff-Treffen zum Projekt ENSPECT (Enabling New Space Power Electronics) statt.
Das Projekt erforscht dabei die Optimierung der Strahlungsfestigkeit von Galliumnitrid (GaN)-basierten Leistungstransistoren für den Einsatz in Satellitenanwendungen. Gemeinsam mit unseren Partnern, darunter TESAT-Spacecom, das Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF) und das Institut für Mikroelektronik Stuttgart (IMS), führen wir Strahlungstests durch und entwickeln präzise Modelle für strahlungsinduzierte Traps sowie leistungselektronische Schaltungen für DC/DC Anwendungen auf Satelliten.
Die Projektergebnisse sollen auch dabei helfen GaN-Bauelemente in harshen Umgebungen auf der Erde zuverlässiger zu gestalten.
Weitere Informationen auf der Projektwebsite: Link
