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Javier Acuna

Herr M.Sc.

Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Institut für Robuste Leistungshalbleitersysteme

Kontakt

Pfaffenwaldring 47
70569 Stuttgart
Deutschland

Fachgebiet

Numerische Modellierung von Materialermüdung und Schädigung von Leistungsmodulen unter realistischen Temperaturprofilen

Kurzschlussschutz von Wide-Bandgap Devices

Thermo-mechanische Modellierung

J. Acuna and I. Kallfass, “Substrate Choice and Thermal Optimization of a Half-bridge Power Module based on Chip Scale GaN HEMTs” in Proc. 19 th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'17 ECCE Europe), 11-14 Sept. 2017, Warsaw, Poland.

J. Acuna, A. Seidel and I. Kallfass, “Design and Implementation of a Gallium-Nitride based Power Module for Light Electro-Mobility Applications” in Proc. IEEE 2 nd Annual Southern Power Electronics Conference (SPEC), 4-7 Dec. 2017, Puerto Varas, Chile.

Kurzschlussschutz von Wide-Bandgap Devices

J. Walter, J. Acuna and I. Kallfass, “Design and Implementation of an Integrated Current Sensor for a Gallium Nitride Half-Bridge”, to appear in Proc. International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM),  5-7 June 2018, Nuremberg, Germany

Betreuung folgender Lehrveranstaltung:

Fachpraktikum (SoSe, B.Sc.)

Thermo-Mechanische Zuverlässigkeit von Leistungsmodulen (Forschungs- und Bachelorarbeit)

Kurzschlussschutz von Wide-Bandgap Bauelementen (Forschungs- und Bachelorarbeit)

Weitere Details hier

Hochfrequente Modellierung von Leistungsmodulen für Anwendungen in Elektromobilität

Thermische Modellierung von Leistungsmodulen für Anwendungen in Elektromobilität.

Reglungsentwurf und Implementierung in einem Digitalen Signal Prozessor (DSP) für einen mit Wide-Bandgap-Devices angesteuerten Brushless DC (BLDC) Antrieb.

Entwurf und Inbetriebnahme eines auf Gallium-Nitrid basierten Wechselrichters für eine bürstenlose Gleichstrommaschine.

Entwurf und Inbetriebnahme eines Integrierten EMV-Filters für Anwendungen in Elektromobilität.

Fehlererkennungsmechanismen für auf GaN basierende Antriebe.

Kurzschlussschutz von SiC MOSFETs

Entwicklung einer Methodik zum Vergleich von Gehäusen für Leistungshalbleiter

 
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