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Pfaffenwaldring 47
70569 Stuttgart
Deutschland
Raum: 1.250, ETI 1
Fachgebiet
Forschung im Bereich der Charakterisierung und der physikalisch basierten Kompaktmodellierung von GaN-Transistoren im Rahmen der Projekte ENSPECT und GaN4EmoBiL.
Schwerpunktbereiche:
- Charakterisierung von GaN-HEMTs, insbesondere des dynamischen Durchlasswiderstands
- Physikalisch basierte Kompaktmodellierung auf Basis der Charakterisierungsergebnisse unter Verwendung des ASM-HEMT-Modells
- Erweiterung des ASM-HEMT-Modells zur Berücksichtigung strahlungsinduzierter Effekte
- Charakterisierung und Modellierung monolithischer bidirektionaler GaN-HEMTs
Vortragsübungen der Lehrveranstaltung "Robust Power Semiconductor Systems 2".