Institut für Robuste Leistungshalbleitersysteme

Robuste Leistungshalbleitersysteme

In der Leistungselektronik treffen elektrisch hochdynamische Schaltvorgänge von Halbleitern auf die Aufbau- und Verbindungstechnik realer Systeme und deren Herausforderungen bezüglich thermischer Performance und Robustheit. Erfahre in der Vorlesung Robuste Leistungshalbleitersysteme mehr über den Einsatz moderner Halbleiter in der Leistungselektronik und sammle selbst erste Erfahrungen bei der thermischen und elektrischen Simulation leistungselektronischer Systeme.

Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Ingmar Kallfass
Übungen: M.Sc. Kanuj Sharma

 

Wichtiger Hinweis! Offizielles Kommunikationsmedium ist ILIAS. Studierende werden darum gebeten, sich bei ILIAS für diese Lehrveranstaltung anzumelden: Hier zu ILIAS Webseite

 

Informationen
Studiengang M.Sc. Elektrotechnik und Informationstechnik Universität Stuttgart
Termin der Vorlesung Montag, 11:30 Uhr – 13:00 Uhr
Termin der Übung Dienstag, 14:00 Uhr – 15:30 Uhr
Startdatum Montag, 02. November
Ort der Vorlesung Universität Stuttgart, Campus Vaihingen
Pfaffenwaldring 9, Raum V 9.32
Ort der Übung Universität Stuttgart, Campus Vaihingen
Pfaffenwaldring 9, Raum V 9.11
Lernziele Die Vorlesung vermittelt ein fundiertes Verständnis für den Einsatz moderner Halbleitertechnologien in leistungselektronischen Anwendungen. Ausgehend von den wichtigsten Kenngrößen von Leistungstransistoren auf Si, GaN und SiC Basis werden Aspekte u. a. der Schaltungstechnik, Aufbau- und Verbindungstechnik und Zuverlässigkeit diskutiert. Ein weiterer Fokus liegt auf aktuellen Forschungs- und Entwicklungsfronten auf dem Gebiet der robusten Leistungshalbleitersysteme.
Inhalt der Vorlesung
  1. Introduction: applications of power semiconductors
  2. Si and Wide-Bandgap (GaN, SiC) based power devices
  3. Conversion efficiency and switching loss
  4. Characteristics and parameters of power semiconductors and their experimental evaluation.
  5. Thermal modelling and management.
  6. Reliability and lifetime of power electronic devices.
  7. Packaging and Integration.
  8. Trends in power semiconductor systems
SWS 2+2 im Wintersemester
Prüfung Schriftliche Prüfung (120 Min.), Prüfung wird zweimal im Jahr angeboten. Bei geringer Hörerzahl kann die Prüfung mündlich sein und in deutscher oder englischer Sprache abgelegt werden; dies wird am Anfang der Vorlesung bekannt gegeben.
Weitere Informationen und News ILIAS

 

Dieses Bild zeigt  Kanuj Sharma
M.Sc.

Kanuj Sharma

Wissenschaftlicher Mitarbeiter

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