Dynamische und applikationsnahe Messverfahren für schnellschaltende Leistungstransistoren

Institut für Robuste Leistungshalbleitersysteme

Sowohl dynamische Effekte von Leistungshalbleitern, als auch durch das Messsystem gegebene Grenzen sind bei der Messung schneller Schaltvorgänge von Transistoren zu berücksichtigen. In dem Fachpraktikum werden diese Einflussfaktoren in unterschiedlichen Versuchen vorgestellt und diskutiert.

Aktuelle Information für interessierte Studierende

Momentan sind alle Plätze im Sommersemester 202´4 für dieses Fachpraktikum belegt. Bitte informieren Sie sich über das Kursangebot weiterer Institute des Fachbereichs Elektrotechnik.

Mit freundlichen Grüßen

Michael Bosch

WICHTIGE INFORMATION - Das Fachpraktikum "Dynamische und applikationsnahe Messverfahren für schnellschaltende Leistungstransistoren" wird als Präsenzveranstaltung in den Räumlichkeiten des ILH angeboten. Der Dozent behält sich Änderungen der Organisationsform vor, sollten diese durch eine Änderung der Rahmenbedingungen zur Durchführung von Präsenzveranstaltungen erforderlich sein.

Kontakt

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Michael Bosch

M.Sc.

Wissenschaftlicher Mitarbeiter

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