Allgemeine Informationen zur Lehrveranstaltung
Die Verwendung von schnellschaltenden Leistungstransistoren wie Silizium Carbid (SiC) MOSFETs und Gallium Nitird (GaN) HEMTs stellt an die Messtechnik - und Methodik neue Herausforderungen. Schnelle Strom - und Spannungsflanken, hohe Schaltfrequenzen und Spannungen erschweren eine präzise Vermessung der Lesitungstransistoren. In diesem Fachpraktikum werden die theoretischen Grundlagen der Messtechnik erarbeitet und diese anhand von verschiedenen applikationsnahen Messverfahren angewendet.
Zu den gelehrten Messtechniken zählen:
- die breitbandige Strommessung
- die breitbandige Spannungsmessung
- Messung der Schaltverluste von Leistungstransistoren in der elektrischen Domäne mittels dem Doppelpuls-Test
- breitbandige Messung der Temperatur und kalorimetrische Schaltverlustmessung
Aktuelle Information für interessierte Studierende
Das Praktikum wird jeweils im Sommersemester angeboten. Der nächste Termin ist dementsprechen das Sommersemester 2025. Die Teilnehmeranzahl beläuft sich Aufgrund einer räumlichen Begrenzung auf 8-10 Personen.
WICHTIGE INFORMATION - Das Fachpraktikum "Dynamische und applikationsnahe Messverfahren für schnellschaltende Leistungstransistoren" wird als Präsenzveranstaltung in den Räumlichkeiten des ILH angeboten. Der Dozent behält sich Änderungen der Organisationsform vor, sollten diese durch eine Änderung der Rahmenbedingungen zur Durchführung von Präsenzveranstaltungen erforderlich sein.
Kontakt
Michael Bosch
M.Sc.Wissenschaftlicher Mitarbeiter