Institut für Robuste Leistungshalbleitersysteme

Dynamische und applikationsnahe Messverfahren für schnellschaltende Leistungstransistoren

Sowohl dynamische Effekte von Leistungshalbleitern, als auch durch das Messsystem gegebene Grenzen sind bei der Messung schneller Schaltvorgänge von Transistoren zu berücksichtigen. In dem Fachpraktikum werden diese Einflussfaktoren in unterschiedlichen Versuchen vorgestellt und diskutiert.

WICHTIGE INFORMATION - Das Fachpraktikum "Dynamische und applikationsnahe Messverfahren für schnellschaltende Leistungstransistoren" wird als Präsenzveranstaltung in den Räumlichkeiten des ILH angeboten. Bei der Durchführung als Präsenzveranstaltung kommt das zentrale Hygienekonzept der Universität Stuttgart zum Einsatz. Das Praktikum findet im Vorlesungszeitraum von November bis Februar als wöchentliche Veranstaltung statt. Der Dozent behält sich Änderungen der Organisationsform vor, sollten diese durch eine Änderung der Rahmenbedingungen zur Durchführung von Präsenzveranstaltungen erforderlich sein.

Information
Studiengang M.Sc. Elektrotechnik und Informationstechnik Universität Stuttgart
Lernziele

Ziel des Fachpraktikums ist die Wissensvermittlung zu Messverfahren wie sie in der aktuellen industriellen und universitären Forschung bei der Messung von Schaltvorgängen schnellschaltender Leistungstransistoren zum Einsatz kommen. Die Studierenden lernen dabei den sicheren Umgang mit Messgeräten, die Verwendung unterschiedlicher Tastköpfe und wie die Messergebnisse in Abwägung verschiedener Einflussparameter zu interpretieren sind.

Inhalt und Termine

In dem Fachpraktikum werden die folgenden Themengebiete diskutiert:

  • Grundlagen von Wide-Bandgap Leistungstransistoren
  • Bestimmung von Schaltverlusten mithilfe eines Doppelpulstestes
  • Differentielle Messung von Schaltspannungen
  • Vermessung des Leitwiderstandes von GaN Transistoren
  • Strommessmethoden für schnelle Schaltvorgänge
  • Abschlusspräsentation der Ergebnisse

Detaillierte Termine werden in der Informationsveranstaltung bekannt gegeben.
Ablauf Zu dem Fachpraktikum wird es eine Informationsveranstaltung am Mittwoch den 28. Oktober 2020 um 10:00 Uhr geben. Hierbei werden die Themen der Versuche erläutert und organisatorische Fragen beantwortet. Eine E-Mail als Information wird vorab an alle Studierende verschickt, die sich im C@MPUS System der Universität Stuttgart für das Fachpraktikum registriert haben. Nach einer Labor-Sicherheitsunterweisung wird es, falls gewünscht, eine Theorieeinheit zu Wide-Bandgap Leistungstransistoren geben. Anschließend folgt im zweiwöchigem Rhythmus die Bearbeitung der praktischen Versuche. Jeder Versuch besteht aus einer Versuchsvorbereitung, der Versuchsdurchführung und der Interpretation und Auswertung der gewonnenen Messergebnisse. Alle relevanten Messergebnisse der Versuche sind in einer Dokumentation zusammenzufassen und abschließend in Form eines kurzen Vortrages zu präsentieren.
Voraussetzungen
  • Robuste Leistungshalbleitersysteme oder äquivalente Kenntnisse
  • Grundlagen der Elektrotechnik und Messtechnik
  • Grundlegendes Verständnis in der Funktionsweise von Halbleiterbauelementen
Ort Universität Stuttgart, Campus Vaihingen Pfaffenwaldring 47, Raum 1.161 (ETI 1, 1. Stock)
Teilnehmerzahl 4 Gruppen zu maximal 3 Studierenden
Anmeldung Die Anmeldung erfolgt über das C@MPUS System der Universität Stuttgart. Bitte registrieren Sie sich hier für das Fachpraktikum, da auf diesem Weg nach erfolgreich absolviertem Praktikum die Note und die Leistungspunkte eingetragen werden. Die Anmeldung ist voraussichtlich bis zum 26.11.2020, 00:00 Uhr freigeschaltet. Eventuell erfolgt eine Auswahl nach Qualifikation und Anmeldezeitpunkt.
SWS 4 im Wintersemester
Prüfung Es wird die allgemeine Arbeitsmethodik, Vorbereitung auf die Versuche, sowie ein detaillierter Bericht und die Abschlusspräsentation der Messergebnisse benotet. Termin zur Abschlusspräsentation (voraussichtlich): In Abstimmung mit den Studierenden im ILH-Seminarraum (ETI, 1.161).
Kontakt M.Sc. Jan Hückelheim

 

Kontakt

Dieses Bild zeigt  Jan Hückelheim
M.Sc.

Jan Hückelheim

Wissenschaftlicher Mitarbeiter

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