GaNIAL Modul auf IMS Generation 2

Mikroelektronik I

Die Vorlesung "Mikroelektronik" schafft die Grundlagen zum Verständnis von Halbleitern und den daraus aufgebauten elektronischen Bauelementen, wie Transistoren, Dioden, Solarzellen oder Lasern.

Die revolutionäre Entwicklung in der Mikroelektronik hin zu miniaturisierten komplexen integrierten Systemen ermöglichte großen Teilen der Menschheit den Übergang von reinen Industriegesellschaften hin zu modernen Informations- und Kommunikationsgesellschaften. Die Mikroelektronik und ihre assoziierten Halbleiterbauelemente haben sich zur allgemeinen Technologieplattform entwickelt, die in der modernen hoch-technologisierten Welt die Schnittstelle von der physikalisch-realen Welt zur virtuellen Welt darstellt

Inhalte der Vorlesung

Die Vorlesung Mikroelektronik I (ME I) wird von Prof. Ingmar Kallfass gelesen und vermittelt zusammen mit der von Prof. Jörg Schulze vom Institut für Halbleitertechnik (IHT) gelesenen Vorlesung Mikroelektronik II (ME II) die Grundlagen zum Verständnis von Halbleitern und den daraus aufgebauten elektronischen Bauelementen, wie Transistoren, Dioden, Solarzellen oder Lasern. Die Vorlesung ist in die folgenden vier Kapitel unterteilt:

  • Einführung
  • Halbleiterphysik
  • PN-Übergang
  • Bandgap Engineering

Termine

Vorlesung
Vortragsübung
Sprechstunde
  • Nach Terminvereinbarung per E-Mail: E-Mail

Terminübersicht

Häufig gestellte Fragen

  • schriftlich, 60 min, gestaffelt mit Mikroelektronik II
  • zwei Prüfungen pro Jahr, Ende Wintersemester, Ende Sommersemseter
  • Hilfsmittel: keine kommunikationsfähigen Geräte, sonst alle Hilfsmittel erlaubt

in ILIAS werden bereit gestellt:

  • Vorlesungsskript (pro Kapitel)
  • Folien (pro Kapitel)
  • vom Vortragenden annotierte Folien
  • Videoaufnahmen

deutschsprachig

  • Th. Tille, D. Schmitt-Landsiegel, “Mikroelektronik - Halbleiterbauelemente und deren Anwendung in elektronischnen Schaltungen”, Springer
  • F. Tuselt, “Physik der Halbleiterbauelemente”, Springer
  • R. Müller, “Grundlagen der Halbleiterelektronik”, Springer

englischsprachig

  • S.M. Sze, “Physics of Semiconductor Devices”, Wiley
  • R.F. Pierret, “Semiconductor Device Fundamentals”, Pearson
Ingmar Kallfass
Prof. Dr.-Ing.

Ingmar Kallfass

Direktor und Institutsleiter

Dominik Koch
M.Sc.

Dominik Koch

Wissenschaftlicher Mitarbeiter

Kevin Muñoz Barón
M.Sc.

Kevin Muñoz Barón

Wissenschaftlicher Mitarbeiter

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