Institut für Robuste Leistungshalbleitersysteme

Robuste Leistungshalbleitersysteme II

Die Vorlesung vermittelt ein umfassendes Verständnis für den Einsatz moderner HalbleiterRobuste Leistungshalbleitersysteme 2 (RPSS2) ist die Anschlussvorlesung an RPSS1 aus dem Wintersemester. Die Vorlesung vermittelt ein fundiertes Verständnis für den Einsatz moderner Halbleitertechnologien in leistungselektronischen Anwendungen. Ausgehend von den wichtigs-ten Kenngrößen von Leistungstransistoren auf Si, GaN und SiC Basis werden Aspekte u. a. der Schaltungstechnik, Aufbau- und Verbindungstechnik und Zuverlässigkeit diskutiert. Ein weiterer Fokus liegt auf aktuellen Forschungs- und Entwicklungsfronten auf dem Gebiet der robusten Leistungshalbleitersysteme.

Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Ingmar Kallfass
Übungen: M.Sc. Julian Weimer

 

Wichtiger Hinweis! Offizielles Kommunikationsmedium ist ILIAS. Studierende werden darum gebeten, sich bei ILIAS für diese Lehrveranstaltung anzumelden: Hier zu ILIAS Webseite

 

Informationen
Studiengang M.Sc. Elektrotechnik und Informationstechnik Universität Stuttgart
Termin der Vorlesung Dienstag, 14:00 Uhr – 15:30 Uhr
Termin der Übung tbd
Startdatum Montag, 20. April 2020
Ort der Vorlesung Universität Stuttgart, Campus Vaihingen
Pfaffenwaldring 47, Raum V 47.05
Ort der Übung tbd
Lernziele Robuste Leistungshalbleitersysteme 2 (RPSS2) ist die Anschlussvorlesung an RPSS1 aus dem Wintersemester. Die Vorlesung vermittelt ein fundiertes Verständnis für den Einsatz moderner Halbleitertechnologien in leistungselektronischen Anwendungen. Ausgehend von den wichtigs-ten Kenngrößen von Leistungstransistoren auf Si, GaN und SiC Basis werden Aspekte u. a. der Schaltungstechnik, Aufbau- und Verbindungstechnik und Zuverlässigkeit diskutiert. Ein weiterer Fokus liegt auf aktuellen Forschungs- und Entwicklungsfronten auf dem Gebiet der robusten Leistungshalbleitersysteme.
Inhalt der Vorlesung Part 5: Thermal Analysis
Motivation - Thermal Material Properties - Electro-thermal - Thermo-mechanical entities - Thermal Modeling - Thermal Equivalent Circuits - Thermal FEM Simulation

Part 6: Reliability and Lifetime
Reliability and Lifetime - Reliability Functions - Accelerated Lifetime Tests - Failure Rate Models - Reliability Tests - Failure Mechanisms - Semiconductor Device Level - Package Level

Part 7: GaN-Based Power Transistors
Material Properties - Device Fabrication - Device Performance
SWS 4 im Sommersemester
Prüfung schriftlich, in englischer Sprache

Anmerkung: Wir behalten uns das Recht vor, bei einer geringen Anzahl von Kandidaten zu einer mündlichen Prüfung überzugehen.

Teil 1: Fragen zu einer ausgewählten wissenschaftlichen Publikation. Das entsprechende Paper wird etwa 4 Wochen vor der Prüfung verteilt.
Teil 2: allgemeine kursbezogene Frage

Erlaubte Werkzeuge: alle, außer kommunikationsfähige Geräte
Weitere Informationen und News ILIAS

 

Dieses Bild zeigt  Julian Weimer
M.Sc.

Julian Weimer

Wissenschaftlicher Mitarbeiter

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