Robust Power Semiconductor Systems II

Institut für Robuste Leistungshalbleitersysteme

Robust Power Semiconductor Systems 2 (RPSS2) ist die Anschlussvorlesung an die Vorlesung RPSS1 aus dem Wintersemester. Die Vorlesung vermittelt ein fundiertes Verständnis für den Einsatz moderner Halbleitertechnologien in leistungselektronischen Anwendungen. Ausgehend von den wichtigsten Kenngrößen von Si-, GaN- und SiC-basierten Leistungshalbleitern werden Aspekte des Schaltungsdesigns, der Aufbau- und Verbindungstechnik sowie der Zuverlässigkeit behandelt. Ein weiterer Fokus liegt auf dem aktuellen Stand der Forschung und Entwicklung im Bereich der robusten Leistungshalbleitersysteme.

Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Ingmar Kallfass
Übungen: M.Sc. Aline Reck

 

Wichtiger Hinweis! Offizielles Kommunikationsmedium ist ILIAS. Studierende werden darum gebeten, sich bei ILIAS für diese Lehrveranstaltung anzumelden: Hier zu ILIAS Webseite

 

Informationen
Studiengang M.Sc. Elektrotechnik und Informationstechnik (Universität Stuttgart)
Termin der Vorlesung Dienstag, 14:00 Uhr – 15:30 Uhr
Termin der Übung Donnerstag 9:45 Uhr - 11:15 Uhr
Startdatum 20. April 
Ort der Vorlesung Universität Stuttgart, Campus Vaihingen
Pfaffenwaldring 47, Raum V 47.05
Ort der Übung Universität Stuttgart, Campus Vaihingen
Pfaffenwaldring 47, Raum V 47.06
Lernziele Die englischsprachige Vorlesung vermittelt ein fundiertes Verständnis für den Einsatz moderner Halbleitertechnologien in leistungselektronischen Anwendungen. Ausgehend von den wichtigsten Kenngrößen von Leistungstransistoren auf Si, GaN und SiC Basis werden Aspekte u. a. der Schaltungstechnik, Aufbau- und Verbindungstechnik und Zuverlässigkeit diskutiert.
Inhalt der Vorlesung Part 1: Thermal Analysis
  • The Need of Thermal Management in Power Electronics
  • Thermal Material Properties
  • Heat Transport
  • Electro-thermal  entities
  • Thermo-mechanical entities
  • Thermal Modeling
  • Thermal Equivalent Circuits
  • Thermal FEM Simulation

Part 2: Reliability and Lifetime
  • Reliability Functions
  • Accelerated Lifetime Tests
  • Failure Rate Models
  • Reliability Tests
  • Failure Mechanisms on Semiconductor Device and Package Level

Part 3: GaN-Based Power Transistors
  • Material Properties
  • Device Fabrication
  • Device Performance
SWS 4 im Sommersemester
Prüfung schriftlich, in englischer Sprache

Anmerkung: Wir behalten uns das Recht vor, bei einer geringen Anzahl von Kandidaten zu einer mündlichen Prüfung überzugehen.

Teil 1: Fragen zu einer ausgewählten wissenschaftlichen Publikation. Das entsprechende Paper wird etwa 4 Wochen vor der Prüfung in ILIAS hochgeladen.
Teil 2: allgemeine kursbezogene Fragen

Erlaubte Werkzeuge: alle, außer kommunikationsfähige Geräte
Weitere Informationen und News ILIAS

 

Kontakt

Dieses Bild zeigt Aline Reck

Aline Reck

M.Sc.

Wissenschaftliche Mitarbeiterin

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