Projektpartner
Laufzeit
01.02.2022 - 01.02.2025
Projektbeschreibung und Zielsetzung
Das Projekt setzt sich die theoretische Untersuchung und die experimentelle Verifikation des Potentials 3D-integrierter keramischer Schaltungsträger für GaN-basierende Systems-in-Package (SiP) für die Leistungselektronik zum Ziel. Neben den neuen Freiheitsgraden 3D-integrierter Systeme bezüglich des thermischen Managements und hoher Leistungsdichte werden zusätzliche Vorteile wie die Bauraumkonformität, Miniaturisierung und Reduzierung von Komponenten untersucht.
Die Forschungsarbeiten konzentrieren sich auf intelligente Leistungsmodule auf Basis von GaN-Leistungstransistoren und die Herstellungsprozesse für 3D-geformte, keramische Moulded-Interconnect-Device (MID) Schaltungsträger, ihre Funktionalisierung und die entsprechende 3D-Aufbau- und Verbindungstechnik.
Links zu Partnern
Kontakt
Manuel Rueß
M.Sc.Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Ingmar Kallfass
Prof. Dr.-Ing.Direktor und Institutsleiter