Kontakt
Pfaffenwaldring 47
70569 Stuttgart
Deutschland
Raum: 1.444
Fachgebiet
Forschung im Bereich der Charakterisierung und Modellierung von GaN-Transistortechnologien im Rahmen der Projekte ENSPECT und GaN4EmoBiL.
Schwerpunkte: Modellierung strahlungsinduzierter Effekte, Charakterisierung und Modellierung bidirektionaler GaN-HEMTs, Anpassung und Optimierung des physikalisch basierten ASM-HEMT-Modells.
Vortragsübungen der Lehrveranstaltung "Robust Power Semiconductor Systems 2".