Zuverlässigkeit & Robustheit

Simulation, Design, Aufbau und Messung der Temperatur und Alterungserscheinungen, sowie des thermischen Verhaltens und der EMV von Leistungsmodulen

Offene studentische Arbeiten

Die Temperatur ist ein wichtiger Parameter für robuste Leistungselektronik, da ihr Verlauf direkten Einfluss auf das End-of-Life (EoL) des Geräts hat.

Die Messung ist durch temperatursensitive elektrische Parameter (TSEPs) möglich, jedoch können diese Parameter während der Lebensdauer eines Leistungsbau-elements ihren Wert ändern und die Temperaturerfassung beeinflussen. Im Rahmen dieser Arbeit wird die Temperaturmessung nach der VSD-Methode implementiert. Dabei werden die Besonderheiten für die Verwendung in einem Back-To-Back Konverter mit berücksichtigt.

Zeitplan

  • Einarbeitung & Literaturrecherche (10 %)
  • Implementierung Power-Schalter zum Trennen der AC Seite (20 %)
  • Implementierung einer abtrennbaren Stromquelle (20 %)
  • Anpassung der Ansteuerung (20 %)
  • Verifikation des Aufbaus (15 %)
  • Ausarbeitung und Vortrag (15 %)

Vorkenntnisse

  • Leistungselektronik I/II oder ähnlich
  • Kenntnisse aus RPSS1 hilfreich
  • Kenntnisse über OPV-basierte Schaltungen hilfreich

Beginn: ab sofort

Kontakt: Kevin Muñoz Barón

 

PDF

Aufgabenstellung

Die Kombination von zwei Halbbrücken zu einer H-Brücke wird typischerweise bei Motorumrichtern eingesetzt, kann aber auch bei Lebensdauertests als so genannte Back-to-Back-Konverter verwendet werden. Dabei werden die beiden Halbbrücken auf der Gleich- und Wechselspannungsseite verbunden, damit hohe Ströme durch die Transistoren fließen können, ohne dass eine übermäßige Energiezufuhr erforderlich ist. In dieser Arbeit soll ein Back-to-Back-Konverter auf Basis von SiC-Halbbrückenmodulen von Infineon entwickelt und getestet werden. Die Basis für diesen Wandler ist ein bereits verfügbarer Wandler auf Basis von Rohm-Modulen (siehe Abbildungen).

Zeitplan

  • Einarbeitung / Literaturrecherche (10 %)
  • Design und Bauteilauswahl (35 %)
  • Aufbau und Inbetriebnahme (40 %)
  • Ausarbeitung und Vortrag (15 %)

Vorkenntnisse

  • Leistungselektronik I/II o.ä.
  • Praktische Erfahrungen im Labor

Beginn: ab sofort

Kontakt: Kevin Muñoz Barón

 

PDF

Aufgabenstellung

Wie in vielen Technologiebereichen wird auch in der Leistungselektronik das Ziel ver-folgt, Bauteile kleiner, leichter und gleichzeitig leistungsfähiger zu gestalten. 3-dimensionale Schaltungsträger wie MID‘s (Molded Interconnect Devices) haben diesbezüglich viele Vorteile. Zum einen besitzen sie das Potenzial zur weiteren Systemminiaturisierung und Funktions-integration. Zum anderen kann die Teilevielfalt eines Systems reduziert und die Wärmeabfuhr individuell optimiert werden. Neben MID auf Thermoplastbasis sind es neuerdings auch duroplastische und keramische Substratmaterialien die entwickelt wurden und für die Leistungselektronik interessant sind. Mit kleineren Leistungsmodulen und höherer Leistungsdichte steigen allerdings gleichzeitig die Anforderungen an die Aufbau- & Verbindungstechnik (AVT). Ein wichtiges Kriterium für die Materialauswahl und die AVT ist die thermische Performance. Die Berechnung des transienten Temperaturverhaltens der Halbleiter für ein gegebenes Verlust-leistungsprofil kann bspw. durch Zth-Kurven ermittelt werden.

Im Rahmen dieser Arbeit sollen WBG-Leistungshalbleiter, auf neuartigen- räumlichen Substraten transient thermisch gemessen werden. Ein Teil der Arbeiten ist dabei die Konzeption, die Auslegung, die Konstruktion und der Aufbau von Probekörpern mit modernen AVT-Technologien wie Lötverfahren, Silber-sintern oder auch Semi-Sintern.

Die studentische Arbeit wird in Kooperation zwischen Hahn-Schickard und dem ILH betreut.

Einzeltätigkeiten

  • Aufbau von Probekörpern
  • Durchführung von Zth-Untersuchungen
  • Bewertung und Zusammenfassung der Ergebnisse
  • Dokumentation der Arbeit

Beginn: ab sofort

Kontakt ILH: Dominik Koch

Kontakt Hahn-Schickard: Kai Werum

PDF

Für den Betrieb von leistungselektronischen Schaltungen ist die Kenntnis der Temperatur der Bauelemente ein wichtiger Indikator um die Leistung des Kühlsystems zu regeln, zur Erkennung von unsymmetrischen Belastungsfällen und für die Detektierung von Fehlerfällen mit unterschiedlich lagen Zeitkonstanten.

In vielen herkömmlichen Leistungsmodulen werden Dioden oder resistive Temperatursensoren als diskrete Bauelemente neben den Leistungstransistoren positioniert, wodurch die Reaktionszeit der Sensoren auf eine Temperaturänderung in den Leistungshalbleitern verhältnismäßig groß ist (ms…s).

Die laterale Struktur von GaN Transistoren erlaubt die monolithische Integration von sensorischen und logischen Schaltungsteilen direkt neben dem Leistungstransistor, was bereits in ersten Versuchen zu einer deutlichen Reduzierung der Reaktionszeit bei Temperaturmessungen geführt hat.

In dieser Arbeit soll eine Messschaltung entwickelt werden, die die Reaktionszeit des monolithisch integrierten Temperatursensors weiter verkürzt und somit die generelle Fehlererkennung für die leistungselektronischen Komponenten verbessert wird.

Themengebiete:

  • Temperaturschutzschaltungen:
    • Arten von Schutzschaltungen
    • Simulationsmöglichkeiten der Temperaturmessung
    • Möglichkeiten der Messwertverarbeitung
  • Schaltungsdesign einer Auswerteschaltung
  • Evaluierung des entwickelten Konzeptes

Kontakt: Jan Hückelheim

PDF

Dieses Bild zeigt Benjamin Schoch

Benjamin Schoch

M.Sc.

Wissenschaftlicher Mitarbeiter

Zum Seitenanfang