💡 Mit Galliumnitrid-basierten Halbleitern das bidirektionale Laden vorantreiben!
🏁 Das ist das übergeordnete Ziel des Forschungsprojekts GaN4EmoBil, das seit Juli 2023 an der Entwicklung neuartiger GaN-Technologien forscht, die eine kostengünstige, effiziente und kompakte Elektronik- und Systemlösung ermöglichen sollen.
Dabei wird im Projekt nicht nur ein neues kostengünstiges GaN-Bauelement mit alternativen Trägersubstrat entwickelt. Diese Innovation soll im Rahmen des Projekts auch in bidirektionalen Ladesystemen der E-Fahrzeuge und Ladestationen eingesetzt und erprobt werden.
Den ersten Meilenstein dafür erreichte das Projektteam bestehend aus Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF, Robert Bosch GmbH, Ambibox GmbH und Michael Bosch, Jeremy Nuzzo und Dominik Koch vom ILH durch die Konzipierung und Spezifikation der Halbleiter und Demonstratoren, die bei dem Projekttreffen am 15. März 2024 in Mainz vorgestellt und diskutiert wurden.
Mehr Infos: https://lnkd.in/e6sk7gbg
Für die Begleitforschung nahm Mani Yousefpour an dem Treffen teil.
Vielen Dank für die Einladung und die interessante Führung durch die Produktion von Ambibox!
