Dabei überzeugte das Team um Prof. Dr.-Ing. Ingmar Kallfass mit der Idee einen Galliumnitrid (GaN) Leistungsverstärker für das W-Band (75-110 GHz) mit einer variablen und monolithisch integrierten DC/DC Spannungsversorgung auf Basis von GaN zu kombinieren, um den Leistungsverstärker noch effizienter, kleiner und schneller zu gestalten. Zusätzlich soll der Verstärker durch digitale Vorverzerrung (Pre-Distortion) verbessert werden und mittels eines Leistungsdetektors am Ausgang ein intelligentes Leistungsmodul entstehen, was auf wechselnde Anforderungen, wie Temperaturschwankungen und unterschiedliche benötigte Sendeleistungen reagieren kann. Als Basis dient die Expertise der beiden Forschungsgruppen für integrierte Millimeterwellenschaltungen und Leistungselektronik des Institutes für Robuste Leistungshalbleitersysteme, kombiniert und in einem Projekt vereint.
Mit diesen Ideen nimmt das ILH an Phase 1 („Call for Ideas“) teil und präsentiert diese auf der Radio Wireless Week RWW bzw. Space Hardware and Radio Conference ShaRC 2020 in San Antonio und dem International Microwave Symposium IMS 2020 in Los Angeles, mit dem Ziel die Unterstützung auch für die weiteren Phasen des Projektes von der Konzeption zur Realisierung des innovativen Ansatzes zu erhalten.
Mehr Informationen unter https://www.mtt.org/mttsat/index.html#call .
Kontakt
Dominik Koch
M.Sc.Gruppenleiter Leistungselektronik / Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Benjamin Schoch
M.Sc.Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Ingmar Kallfass
Prof. Dr.-Ing.Direktor und Institutsleiter